주 기억 장치 및 보조 기억 장치

12.2-3 메인 메모리(주기억 장치)

DRAM(Dynamic RAM)
- 메인 메모리에 자주 사용된다.
- 각 DRAM 메모리 소자들은 직접 회로 내에 포함되어 있는 트랜지스터들과 capacitor들로 만들어 진다.
- 트랜지스터는 플립플롭을 의미하기도 한다.
- capacitor(전기가 들어왔을 때 축적하고 있는 특징을 가진 소자)가 데이터 비트를 저장하는 형태로 동작한다.
- 트랜지스터는 작은 양의 누출이 발생한다. capacitors이 방전되는 형태로 동작을 한다. 전압이 방전되게 되면 capacitors이 가지고 있는 데이터를 잃어버리게 된다.
- 몇 밀리초마다 데이터를 유지하기위해서 전기를 계속해서 충전해줘야하는 refresh가 필요하게 된다.
- 램으로 사용됨
SRAM(Static RAM)
- SRAM은 회로를 트랜지스터들로만 만든다. 일반적으로 4-6개 정도포함된다.
- DRAM과 다르게 전기가 유지되는 동안에 계속해서 데이터를 메모리에 저장할 수 있다. refresh가 필요 없다.
- SRAM이 DRAM보다 빠르다. 트랜지스터를 사용하다보니 DRAM보다 가격이 비싸다.
- SRAM은 DRAM보다 빠르지만 비싸다.
- 일반적으로 DRAM이 주기억장치로 컴퓨터 시스템에 사용된다.
- 캐시 메모리로 사용됨

K-084

롬에 저장되는 부트스트랩 로더는 전원이 들어왔을 때 동작하는 컴퓨터 소프트웨어가 시작될 수 있도록 하는 기능을 가지고 있는 프로글매을 저장하는 기능을 가지고 있는 저장소이다.
필요한 동작들이 BIOS에 저장된다. BIOS가 POST 단계에서 실행된다.
부트스트랩에 해당되는 모든 과정을 MBR에 저장된다.

K-085

일반적으로 컴퓨터를 설계할 때 CPU에서 메모리에 있는 데이터를 가지고 오는 방식을 주소지정 방식으로 가져오게 된다. 주소 지정방식은 메모리의 크기나 종류에 따라서 달라진다. 일반적으로 컴퓨터의 램이나 롬같은 특정한 종류, 그리고 연결할 수 있는 메모리의 크기가 제한된다. 연결된 메모리의 종류 그리고 크기에 따라서 메모리 주소 지정방식이 조금씩 달라질 수 있는데 메모리 주소지정은 각칩에 지정된 메모리 주소를 구별하는 표에 의해서 이루어진다. 그런 표는 메모리 주소 맵이라 표현한다.
- 메모리 구성 : 512 Bytes ROM + 512 Bytes RAM
- - 1 X 512 Bytes ROM + 4 X 128 Bytes RAM

K-086

K-088

특정한 램이 선택되는 동작은 CS1, CS2에 따라 달라진다.
- Decoder를 이용해서 연결되어 있다.
- 0 0 이면 RAM1
- 0 1 이면 RAM 2
- 1 0 이면 RAM 3
- 1 1 이면 RAM 4
10번에 해당하는 값은 0일 때만 램이 선택된다.
램의 주소값은 1번부터 7번으로 해서 특정한 램에 있는 특정 word가 선택되는 것이다.
롬에는 8,9번도 추가로 전달된다. 롬은 그래야 512중에 하나를 선택할 수 있다.
롬에서의 CS2는?
- 10번에 해당하는 값이다. 1일 때 0으로 들어가게된다. CS1 = 1
- 10번에 해당하는 값이 1이고 RD동작이 수행되는 상황이라면 롬에 특정 주소에 있는 값이 버스틀 통해서 전달된다.

자기디스크는 하드디스크 형태로 많이 사용되지만 자기 테이프는 보조기억장치로 사용되는 경우도 거의 없다.
자기 테이프가 사용되는 경우는 특정한 데이터가 양은 되게 많은데 일반적으로 빨리 읽을 필요가 없는 경우 자기 테이프를 이용하여 저장하는 경우가 있다. 자기 테이프는 물리적으로 손상되지 않는 이상 데이터가 손실되지 않는다.
자기 디스크는 HDD, FDD가 있다. FDD는 플로피 디스크 드라이브이다.
광학 디스크 : 빛을 사용해서 데이터를 저장하는 방식, CDR, ODD, DVD